

你还在为选股发愁吗?半导体行业的风口已经悄悄转向了!
当大家都在关注芯片设计公司时,有一个更确定的赛道正在默默爆发——半导体设备!这就是传说中的“卖铲子”生意,不管谁挖到金矿,都得先买我的铲子!
国际半导体产业协会(SEMI)最新报告给出了震撼数据:2025年全球半导体设备销售额将达到创纪录的1330亿美元,同比增长13.7%!更惊人的是,未来两年还将继续增长,2026年1450亿美元,2027年1560亿美元!
这波增长的核心驱动力是什么?
AI!AI!还是AI!
AI算力的狂飙,正在重塑整个半导体产业的需求逻辑。尤其是存储市场的涨价潮贯穿全年,叠加HBM(高带宽内存)与DDR5需求的集中爆发,全球行业巨头都在疯狂扩产!
先来看看国内的情况!
根据长鑫招股书,其募集资金将重点投向三大方向:
这一系列项目的落地,直接带动了半导体设备市场需求增长!
国际巨头更是不甘落后!
韩国两大存储芯片企业三星与SK海力士正加速推进内存产能扩张:
SK海力士的动作同样惊人:
SEMI数据显示,预计到2026年,韩国将重回全球芯片设备支出第二位,达到约296.6亿美元,较2025年预计的233.2亿美元增长27.2%!
从全球格局来看:
存储芯片的进化史,就是一部“空间争夺战”!
从2D平面到3D堆叠,NAND闪存层数已突破400层大关,未来还将向1000层迈进!DRAM向垂直通道晶体管(VCT)演进,HBM通过硅通孔(TSV)技术实现芯片垂直互联。
这种技术跃迁对半导体设备提出了颠覆性要求!
刻蚀设备的核心作用是按预设图形,选择性去除晶圆表面不必要的材料。
在3D NAND时代,情况完全不同了!
增加集成度的主要方法不再是缩小线宽,而是增加堆叠层数!刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上,加工40:1到60:1的极深孔或极深沟槽!
举个例子你就明白了:
当3D NAND层数从32层提升到128层时,刻蚀设备使用量占比从34.9%上升到48.4%!
SEMI预测,2026-2028年间全球存储领域设备支出将达1360亿美元,其中3D NAND相关投资占比超40%!刻蚀设备作为核心环节,将持续享受这一波扩产红利!
如果说刻蚀是“减法”,那薄膜沉积就是“加法”!
通过在晶圆表面交替堆叠导电膜、绝缘膜等材料,为半导体器件构建基础叠层结构。3D NAND层数越多,需要的沉积步骤就越多!
薄膜沉积技术主要分为:
其中ALD设备特别值得关注!它能实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制,在3D堆叠结构中需求占比大幅增加!
根据东京电子的披露,在Flash芯片产线的资本开支占比中:
HBM通过垂直堆叠多层DRAM芯片(通常4-16层),利用TSV技术形成高密度存储单元!
光刻设备需求升级核心源于DRAM制程微缩与HBM高密度互联对图形化精度的极致要求!
DRAM第六代制程(D1c)已规模化应用EUV光刻,三星、美光、SK海力士均依赖EUV实现精度突破!
混合键合设备是HBM制造过程中的关键设备之一!
现阶段HBM3/3E主要依赖传统微凸块技术,但随着堆叠层数的增加,散热问题被逐渐放大!混合键合被视为未来HBM进一步演进的关键!
在国产化浪潮与政策扶持双重驱动下,国内设备企业正逐步打破国际垄断!
除了这三类核心设备,清洗、离子注入、快速热处理、涂胶显影、封装检测、电镀、抛光等配套设备,也受益于晶圆厂扩产浪潮实现需求大幅增长!
盛美上海以清洗设备起家,正逐渐往平台型设备公司拓展,目前在清洗、电镀、Track、抛光、薄膜沉积等领域均有产品推出!
半导体设备的黄金时代已经到来!
AI算力的爆发、存储技术的升级、国产替代的加速,三重因素叠加,让这个“卖铲子”的赛道充满了确定性机会!
在科技变革的浪潮中,最确定的投资往往是那些为变革提供“工具”的企业!
你觉得在半导体设备领域,哪个细分赛道最有投资潜力?欢迎在评论区分享你的看法!
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